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パワーMOSFETとIGBT入門

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イベント概要

 パワーデバイスはスイッチング電源のスイッチに使われます。スイッチング・デバイスの損失を少なくするために、スイッチングの動作電圧が数十Vから数百Vの範囲ではパワーMOSFETを、また数百から数千Vの範囲ではIGBTを主に使います。これは、スイッチオフ時の耐圧が数百Vを超えると、パワーMOSFETのオン抵抗は急に上昇して導通損失が増大しますが、IGBTのオン抵抗はキャリアの伝導度変調により低く保たれて導通損失が抑制されるからです。
 一方、スイッチング時の損失はパワーMOSFETよりIGBTの方で大きいため、実用的なスイッチング周波数領域は、IGBTでは比較的に低い数kHz~20kHz程度となり、またパワーMOSFETではそれより高い数百kHz~数MHz程度になります。さらに、これらのデバイスには、SOA(Safe Operating Area)が設定されており、この範囲を超えて動作させることはできません。このような特性を持っているデバイスそのものの設計、またそのデバイスを用いてスイッチング電源を設計する場合には、これらのデバイス特性をよく理解しておく必要があります。
 本セミナーでは、それらのデバイスの動作原理(導通特性、スイッチング特性など)やSOAなどを基本的なところから詳細にかつ分かりやすく解説します。入門レベルのスイッチング電源回路並びにパワーデバイスの設計者にとって非常に有益な内容ですが、初級及び中級レベルの方々にとっても満足できるものになっております。

開催日時 2019/02/15 (金) 10:00 ~ 17:00
会場

日刊工業新聞社 東京本社 セミナールーム (東京都)

会場住所 103-8548 東京都中央区 日本橋小網町14ー1 住生日本橋小網町ビル
料金 43,200円
定員 20人
Webページ https://corp.nikkan.co.jp/seminars/view/2312
ジャンル 生産管理
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